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可控硅

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    T0835H8A
    • 产品概述
    • 产品参数
    • 产品封装
    • 技术资讯

    采用TO-220A塑封金属内绝缘封装形式的三象限可控硅,可以直接连接低功耗触发电路。

    特性和优势

    1、全循?#26041;?#27969;导通
    2、高于800V的阻断电压选择
    3、8A负载电流选择(ITRMS
    4、IGT一致性好,?#23548;?#35206;盖面广
    5、换向性能好,抗?#25159;?#33021;力强
    6、良好的产品可靠型和产品品质

    主要应用场合

    电机控制
    电压调节
    加热电路
    小家电
    ?#21672;?#23478;电

    本产品的参数类型

    符号

    全称

    测试条件

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    VDRM

    正向断态重复峰值电压

     

    800

     

     

    V

    VRRM

    反向断态重复峰值电压

     

    800

     

     

    V

    IT(RMS)

    均方根电流

    正?#20063;ǎ琓C=100℃

    8

     

     

    A

    ITSM

    通态(不重复)浪涌电流

    正?#20063;ǎ瑃p=20ms,间隔20s,20次,Tj=25℃

    80

     

     

    A

    Tj

    结温

     

    -40

     

    150

    静态参数

    IGT1

    第一象限触发电流

    VD=12V,RL=33Ω,Tj=25℃

     

     

    35

    mA

    IGT2

    第二象限触发电流

    VD=12V,RL=33Ω,Tj=25℃

     

     

    35

    mA

    IGT3

    第三象限触发电流

    VD=12V,RL=33Ω,Tj=25℃

     

     

    35

    mA

    IL1

    第一象擎住电流

    IG=1.2IGT,Tj=25℃

     

     

    50

    mA

    IL2

    第二象擎住电流

    IG=1.2IGT,Tj=25℃

     

     

    70

    mA

    IL3

    第三象擎住电流

    IG=1.2IGT,Tj=25℃

     

     

    50

    mA

    IH

    维持电流

    IT=100mA

     

     

    45

    mA

    VTM

    通态(峰值)电压

    ITM=11A,tp=380μs

     

     

    1.4

    V

    动态参数

    dv/dt

    断态电压临界上升率

    VD=2/3VDRM,Tj=150℃,门极开路

    1000

     

     

    V/μs

    di/dt

    通态电流临界上升率

    VD=2/3VDRM,Tj=150℃,IG=2IGT

    50

     

     

    A/μs

     

    产品封装

    型号 封装 封装信息 包装 产品状态 产品打标
    T0835H8A TO-220A 尺寸图   在产  

     

    引脚信息(A:TO-220A)

    脚位 符号 描述 外观 图标
    1 T1 第一阳极
    2 T2 第二阳极
    3 G 控制极

    ?#24471;鰨?/h1>

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